STP150N10F7
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
STP150N10F7 datasheet
-
МаркировкаSTP150N10F7
-
ПроизводительSTMicroelectronics
-
ОписаниеSTMicroelectronics STP150N10F7 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 110 A Rds On: 4.2 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Brand: STMicroelectronics Fall Time: 33 ns Gate Charge Qg: 117 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 250 W Rise Time: 57 ns Series: STP150N10 Factory Pack Quantity: 50 Typical Turn-Off Delay Time: 72 ns
-
Количество страниц15 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
10.06.2024
09.06.2024
08.06.2024